高德红外制冷探测器获突破 促进我国芯片核心能力提升

高德红外今天发布公告,国家技术转移中部中心近期组织行业专家对公司研制的“1280×1024规模、12μm像元尺寸的碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器”项目进行了评价,专家组一致认为该成果整体达到国际先进水平,具备红外探测器产业化的基础,是典型的高新技术军民两用产品,具有良好的社会效益和经济效益前景,建议进一步加快延伸开发及推广应用。

芯片产业
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公告称,公司使用高质量的材料,高精度的芯片加工和低噪声的电路设计,实现了小像元、百万像素的技术突破。

上证报记者采访了解到,制冷红外探测器使用时需要利用特殊的设备冷却至液氮温度(约零下200度),这种由特殊的半导体材料制作并在冷却的环境下工作的探测器芯片,具有极高灵敏度,主要应用于军事、航天的高端领域,民品领域亦有重大作用,主要用于远洋船舶、海事船舶、海事执法舰船等全天候目标监控、搜索等。

据公告,高德公司本次通过评审的1280×1024规模、12μm像元尺寸的红外芯片,是该公司继实现非制冷1280×1024@12μm探测器芯片研制技术后,在制冷型大规模探测器芯片领域取得的又一重大突破,为我国大面阵、小像元碲镉汞红外焦平面探测器芯片产业化扫除障碍,打破红外成像系统中高端核心芯片的技术垄断、实现进口替代,有力促进了我国高端碲镉汞材料和探测器芯片产业核心能力的提升。