大容量高密度 长江存储研出128层QLC闪存

4月13日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）宣布其128层QLC3DNAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

据介绍，作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存，长江存储X2-6070拥有目前业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O（输入输出）传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。公司同时发布的还有128层512GbTLC（3bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。

长江存储介绍，QLC是继TLC（3bit/cell）后3DNAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。每颗X2-6070QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量，是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约14660亿“人”居住。

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊（Grace）表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking（即长江存储）2.0时代的到来，长江存储将与合作伙伴一起开创一个崭新的商业生态，达到互利共赢。”

对此，闪存和SSD领域知名市场研究公司ForwardInsights创始人兼首席分析师GregoryWong认为，QLC技术降低了NAND闪存单位字节（Byte）的成本，更适合作为大容量存储介质，未来市场空间可观；尤其是在企业级市场，QLC技术将给服务器和数据中心带来更低的读延迟，更适用于AI计算、机器学习、大数据等读取密集型应用。