紫光存储芯片基地落地重庆 预计2021年建成投产

上证报记者今日从紫光集团获悉，在重庆市委市政府的推动下，8月27日，重庆市人民政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。与此同时，重庆市经济和信息化委员会、重庆两江新区管委会与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目投资合作协议，以进一步推动芯片产业基地项目在两江新区的落地建设。

根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金，建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。据了解，DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。

按照此次签署的协议，紫光国芯集成电路股份有限公司将作为紫光集团已经和未来在各地设立的存储芯片制造工厂的投资主体，打造世界级存储芯片领域核心产业集团。

据了解，紫光重庆存储芯片工厂依靠紫光集团在存储器领域积累的从设计、生产、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产业化经验，主要专注12英寸DRAM存储芯片的制造。该工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。

值得一提的是，紫光集团DRAM总部研发中心同样落户两江新区。紫光集团DRAM事业群已于今年6月底组建成立。在芯片工厂建成前，紫光集团先期在现有芯片工厂内设立产品中试生产线，进行产品生产工艺技术研发，待工艺成熟后在紫光重庆芯片工厂量产。

据介绍，紫光集团布局DRAM由来已久，旗下西安紫光国芯一直专注于存储器尤其是DRAM的产品技术研发，拥有从产品立项、指标定义、电路设计、版图设计到硅片、颗粒、内存条测试及售前售后技术支持等全方位技术积累。

未来，紫光的存储器产品将通过全球合作，包括与紫光内生产业链的新华三、紫光存储、紫光展锐等公司配合，实现芯片与系统应用的匹配、检验、调优，快速实现技术创新落地，赢得市场。